为推动微电子及集成电路学科高质量发展，发挥学校学科特色，深入推动国际交流与合作，8月11日至13日，bat365中文官方网站和南京航天航空大学共同主办的第七届MOS-AK器件模型国际会议（The 7th International MOS-AK Workshop，简称MOS-AK 2023）在我校仙林校区举行。弘模半导体技术（上海）有限公司和bat365中文官方网站南通研究院共同承办此次会议。

我国及英国、德国、法国、印度等国家和地区的专家学者11000余人次通过线上、线下相结合的方式参加会议，参会人数创历史新高。清华大学、电子科技大学、中国科学院、华东师范大学、南京航空航天大学、bat365中文官方网站、华为海思、华大九天、概伦电子、培风图南等单位的专家领导齐聚会议现场，探讨交流半导体器件模型领域的学术和技术问题，会议主题相关领域的国际知名学者作会议特邀报告。

8月12日上午的开幕式上，我校党委常委、副校长郭宇锋教授致欢迎辞。他介绍了学校的办学历程、人才培养和发展情况，希望会议为半导体和集成电路等领域的研究人员、教育工作者、工程师和学者提供好展示最新研究成果、学术交流的平台。

法国格勒诺布尔理工学院Sorin Cristoloveanu教授、电子科技大学的张波教授、利物浦约翰摩尔大学张建福教授等11位专家分别作会议主题特邀报告，紧密围绕半导体器件模型的学术前沿及在工程中的应用展开技术研讨和经验交流。

本次会议分两个阶段，在8月11日的培训中，斯图加特大学严力希教授作“Characterization and Modeling for Vertical Power MOSEFTs”主题报告。8月12日至13日的MOS-AK会议涉及advanced CMOS、GaN、SOI、Organic transistor、SiGe HBT、EDA 工具、算法等方面内容，共11场特邀报告、13场学术报告，是历届该会议报告数量最多的一届。

刘伟强教授主持会议开幕

郭宇锋教授开场并致辞

Sorin Cristoloveanu教授作特邀会议报告

张波教授作特邀会议报告

参会人员提问

严力希教授进行会议培训

参会全体人员合影

（撰稿：李孟杨  初审：张珺  终审：蔡志匡）